金屬氧化物半導體集成電路
讀音：jīn shǔ yǎnɡ huà wù bàn dǎo tǐ jí chén
基礎釋義
簡稱“mos集成電路”。由金屬、氧化物和半導體場效應管組成的集成電路。工藝簡單、輸入阻抗高、集成度高、功耗低 ，但工作頻率低。主要用于數字電路。分p溝道mos集成電路和n溝道mos集成電路兩種。將兩者互補構成互補型集成電路(cmos)。應用廣泛。
讀音：jīn shǔ yǎnɡ huà wù bàn dǎo tǐ jí chén
簡稱“mos集成電路”。由金屬、氧化物和半導體場效應管組成的集成電路。工藝簡單、輸入阻抗高、集成度高、功耗低 ，但工作頻率低。主要用于數字電路。分p溝道mos集成電路和n溝道mos集成電路兩種。將兩者互補構成互補型集成電路(cmos)。應用廣泛。